一種柔性砷化鎵太陽能電池芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011604325.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112713201B 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN112713201B 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/055;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏婷婷;王兵;杜偉;黃輝廉;何鍵華 申請（專利權(quán)）人 中山德華芯片技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 伍傳松
地址 528437 廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)火炬路22號之二第3-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種柔性砷化鎵太陽能電池芯片及其制作方法，柔性砷化鎵太陽能電池芯片包括：外延層；依次層疊設(shè)置于所述外延層下表面的第一電極、銅襯底及碳納米管薄膜；覆蓋于所述外延層上表面的減反射膜與接觸層；第二電極，設(shè)置于所述接觸層上表面。通過在銅襯底表面制備了一層碳納米管薄膜，利用碳納米管薄膜的材料特性，既保證了銅襯底的導(dǎo)電性，同時提升了銅的抗氧化能力，并對柔性芯片翹曲度有一定改善。