一種提升磷化銦中鋅摻雜濃度的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110367279.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112802738B | 公開（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申請公布號 | CN112802738B | 申請公布日 | 2021-07-27 |
| 分類號 | H01L21/22（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃輝廉;黃珊珊;張小賓;黃彥澤;楊文奕 | 申請（專利權(quán)）人 | 中山德華芯片技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 伍傳松 |
| 地址 | 528437廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū)火炬路22號之二第3-4層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種提升磷化銦中鋅摻雜濃度的方法，屬于半導體材料技術(shù)領(lǐng)域。一種提升磷化銦中鋅摻雜濃度的方法，包括在完成鋅擴散的磷化銦表面生長ZnSe層，之后進行退火處理，并除去ZnSe層。本發(fā)明設(shè)置的ZnSe層，在退火處理過程中，阻礙了Zni逸出磷化銦基體，因此，Zni被激活，進而轉(zhuǎn)化為替代位ZnS的幾率提升，最終提升了磷化銦中鋅摻雜的濃度。 |
