一種用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520285535.8 申請日 -
公開（公告）號 CN204570081U 公開（公告）日 2015-08-19
申請公布號 CN204570081U 申請公布日 2015-08-19
分類號 C30B13/20(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高玉強;宗艷民;宋建;王希杰;張紅巖 申請（專利權(quán)）人 中國光大銀行股份有限公司濟南分行
代理機構(gòu) 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 代理人 山東天岳先進材料科技有限公司;山東天岳先進科技股份有限公司
地址 250101 山東省濟南市歷下區(qū)高新區(qū)新濼大街2008號銀荷大廈3-409
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，屬于單晶生長領(lǐng)域。一種用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，包括生長室，其特征是：所述生長室采用下開蓋方式，生長室的外部設(shè)置可上下移動的感應(yīng)加熱器，所述生長室的下部連接有大氣隔離室，大氣隔離室上設(shè)置有操作窗口，大氣隔離室的一側(cè)連接有過渡室，所述過渡室內(nèi)設(shè)有去除雜質(zhì)的加熱裝置，所述氣隔離室、過渡室和生長室上均設(shè)有保持內(nèi)部環(huán)境處于保護氣體狀態(tài)或真空狀態(tài)的機構(gòu)，大氣隔離室的下部還設(shè)有吸塵器接口。本實用新型用于生長大尺寸高純碳化硅單晶的裝置，該裝置能有效去除雜質(zhì)，優(yōu)化碳化硅生長環(huán)境，并且能夠完成原位退火，有利于大尺寸碳化硅單晶生長。