一種具有溫補結(jié)構(gòu)的薄膜體聲波諧振器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210512113.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114614793A 公開（公告）日 2022-06-10
申請公布號 CN114614793A 申請公布日 2022-06-10
分類號 H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/04（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 高安明;姜偉 申請（專利權(quán)）人 浙江星曜半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 溫州知遠專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 325000浙江省溫州市浙南科技城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)新天地一期1號樓506室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有溫補結(jié)構(gòu)的薄膜體聲波諧振器及其制備方法，屬于薄膜體聲波諧振器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過采用二氧化硅作為溫度補償層，解決了常規(guī)薄膜體聲波諧振器溫度系數(shù)為負的問題，從而有效地提高了諧振器的溫度穩(wěn)定性；通過采用氮化硅與二氧化硅共同組成的溫度補償層，解決了單一二氧化硅作為溫度補償層時，對諧振器的Q值和機電耦合系數(shù)影響較大的問題；通過采用氟氧化硅作為溫度補償層，解決了二氧化硅作為溫度補償層時，對諧振器性能影響加大的問題，可以有效地幫助諧振器實現(xiàn)高溫度穩(wěn)定性、高Q值和高機電耦合系數(shù)；通過采用在壓電材料中內(nèi)嵌溫度補償層的結(jié)構(gòu)，進一步優(yōu)化溫度補償效果，解決了由溫度補償層所引入的電容的影響。