終端有源區(qū)同設(shè)計(jì)的SiC功率器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110704971.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113437154A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113437154A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳欣璐;黃興;張梓豪;隋金池;汪劍華;楊朝陽(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州五洲普華專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 姚宇吉 |
| 地址 | 311215浙江省杭州市蕭山區(qū)寧圍街道悅盛國(guó)際中心603室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種終端有源區(qū)同設(shè)計(jì)SiC功率器件及其制備方法，涉及SiC功率器件領(lǐng)域，所述終端有源區(qū)同設(shè)計(jì)SiC功率器件中，形成所述元胞結(jié)構(gòu)溝道的溝道注入?yún)^(qū)和終端區(qū)用于形成結(jié)終端的結(jié)終端注入?yún)^(qū)采用相同的掩蔽層刻蝕和離子注入工藝同時(shí)形成。通過在終端區(qū)和有源區(qū)采用相同的離子注入結(jié)構(gòu)，解決了因圖形區(qū)域密度不同導(dǎo)致的刻蝕側(cè)墻角度不同而造成相應(yīng)溝道離子注入時(shí)溝道尺寸不可控的問題。 |
