終端有源區(qū)同設(shè)計的SiC功率器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110704971.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113437154A 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN113437154A 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳欣璐;黃興;張梓豪;隋金池;汪劍華;楊朝陽 申請（專利權(quán)）人 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州五洲普華專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 姚宇吉
地址 311215浙江省杭州市蕭山區(qū)寧圍街道悅盛國際中心603室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種終端有源區(qū)同設(shè)計SiC功率器件及其制備方法，涉及SiC功率器件領(lǐng)域，所述終端有源區(qū)同設(shè)計SiC功率器件中，形成所述元胞結(jié)構(gòu)溝道的溝道注入?yún)^(qū)和終端區(qū)用于形成結(jié)終端的結(jié)終端注入?yún)^(qū)采用相同的掩蔽層刻蝕和離子注入工藝同時形成。通過在終端區(qū)和有源區(qū)采用相同的離子注入結(jié)構(gòu)，解決了因圖形區(qū)域密度不同導(dǎo)致的刻蝕側(cè)墻角度不同而造成相應(yīng)溝道離子注入時溝道尺寸不可控的問題。