一種帶有槽型JFET的碳化硅MOS器件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020734542.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212907743U | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請公布號 | CN212907743U | 申請公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳欣璐;黃興;陳然 | 申請（專利權(quán)）人 | 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道六和路368號一幢(北)三樓D3204室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種帶有槽型JFET的碳化硅MOS器件，包括：碳化硅襯底，所述碳化硅襯底材料的摻雜類型為第一導(dǎo)電類型；在碳化硅襯底的正面和背面分別設(shè)有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層和漏極；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體外延層的有源區(qū)上設(shè)有JFET區(qū)，JFET區(qū)上設(shè)有第一表面、第二表面和第三表面，其中第一表面和第二表面從外到里分別設(shè)有第一導(dǎo)電類型源區(qū)和第二導(dǎo)電類型基區(qū)；第一表面上方設(shè)有源極，第三表面上方設(shè)有柵介質(zhì)和柵極，第二導(dǎo)電類型基區(qū)和源極之間設(shè)置有第二導(dǎo)電類型注入體區(qū)，源極和柵極之間設(shè)置有極間隔離介質(zhì)。?? |
