一種具有相同柵源摻雜的場效應晶體管、元胞結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021485861.0 申請日 -
公開（公告）號 CN213304144U 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN213304144U 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 黃興;陳欣璐;陳然 申請（專利權）人 派恩杰半導體（杭州）有限公司
代理機構 杭州天昊專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 310000浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道六和路368號一幢(北)三樓D3204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有相同柵源摻雜的場效應晶體管、元胞結構，其中元胞結構包括：碳化硅襯底，該碳化硅襯底材料的摻雜類型為第一導電類型，在碳化硅襯底的正面和背面分別設有第一導電類型半導體外延層和第一電極；在第一導電類型半導體外延層上依次設置有第二導電類型懸浮區(qū)、第一導電類型柵極注入區(qū)、第一導電類型源極注入區(qū)，柵極注入區(qū)上設置有柵極，源極注入區(qū)上設置有源極，柵極注入區(qū)和源極注入區(qū)之間設置有極間介質，所述極間介質用于對柵極和源極進行隔離，其中所述第二導電類型懸浮區(qū)與第一導電類型源極注入區(qū)的接觸部與第一導電類型源極注入區(qū)結構相同，且都設置為具有終端尖角。??