帶有柵極溝槽結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021831014.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213366599U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213366599U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張梓豪;黃興;陳欣璐 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州天昊專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 310000 浙江省杭州市濱江區(qū)浦沿街道六和路368號(hào)一幢(北)三樓D3204室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種帶有柵極溝槽結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET，包括：碳化硅襯底；碳化硅襯底上生長(zhǎng)的碳化硅外延層；所述碳化硅襯底背面覆蓋的漏極金屬電極；所述碳化硅外延層上刻蝕的溝槽，在所述溝槽表面生長(zhǎng)有的氧化層，氧化層上設(shè)有的柵極金屬電極；在碳化硅外延層上設(shè)有的源極注入?yún)^(qū)；所述源極注入?yún)^(qū)上覆蓋有的源極金屬電極；在碳化硅外延層上還設(shè)有的多個(gè)注入?yún)^(qū)，其中包括阻斷注入?yún)^(qū)，保護(hù)注入?yún)^(qū)和改善注入?yún)^(qū)，所述阻斷注入?yún)^(qū)的摻雜類(lèi)型為第二導(dǎo)電類(lèi)型，所述改善注入?yún)^(qū)的摻雜類(lèi)型為第一導(dǎo)電類(lèi)型，所述保護(hù)注入?yún)^(qū)為重?fù)诫s的第二導(dǎo)電類(lèi)型，所述阻斷注入?yún)^(qū)與源極注入?yún)^(qū)相鄰且設(shè)置在柵極和漏極之間，所述保護(hù)注入?yún)^(qū)設(shè)置在柵極金屬電極下方。 |
