降低對(duì)存儲(chǔ)器接口性能影響的閃存錯(cuò)誤檢測(cè)方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510017224.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104615503B 公開（公告）日 2018-10-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN104615503B 申請(qǐng)公布日 2018-10-30
分類號(hào) G06F11/10 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 黎智 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東華晟數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 廣東華晟數(shù)據(jù)固態(tài)存儲(chǔ)有限公司
地址 511458 廣東省廣州市南沙區(qū)進(jìn)港大道80號(hào)805房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低對(duì)存儲(chǔ)器接口性能影響的閃存錯(cuò)誤檢測(cè)方法及裝置。根據(jù)閃存各頁(yè)所在位置的物理特性，將一個(gè)塊中的頁(yè)按照ECC增長(zhǎng)的速度差異分到不同的組，在實(shí)際巡檢操作中，根據(jù)不同的組分配不同的巡檢周期，ECC增長(zhǎng)越快的頁(yè)面，巡檢周期越短，反之越長(zhǎng)。減小了Nand Flash閃存的接口性能壓力，即減小了對(duì)存儲(chǔ)器對(duì)外接口的性能影響。