在晶圓級(jí)別集成的VCSEL器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120730565.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215267070U 公開（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN215267070U 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類號(hào) H01S5/183;H01S5/20;H01S5/042 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭銘浩;王立;李念宜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江睿熙科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海領(lǐng)洋專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅曉飛
地址 311113 浙江省杭州市良渚街道通運(yùn)街358號(hào)2幢101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種在晶圓級(jí)別集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：基底層、VCSEL激光單元和夾設(shè)于所述基底層和所述VCSEL激光單元之間的半導(dǎo)體光學(xué)結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體光學(xué)結(jié)構(gòu)包括：光學(xué)調(diào)制部和包覆所述光學(xué)調(diào)制部的保護(hù)部，其中，所述光學(xué)調(diào)制部用于對(duì)從所述VCSEL激光單元的N?DBR層出射的激光進(jìn)行調(diào)制。所述VCSEL器件在晶圓級(jí)別上集成了用于形成并出射激光的VCSEL激光單元和用于調(diào)制所述VCSEL激光單元出射的激光的半導(dǎo)體光學(xué)結(jié)構(gòu)。