超寬帶晶圓級(jí)封裝匹配結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210123804.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114496986A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114496986A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L23/538（2006.01）I;H05K1/02（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王璞;劉強(qiáng);郭齊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都天成電科科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京細(xì)軟智谷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 610000四川省成都市成都高新區(qū)肖家河環(huán)三巷2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及一種超寬帶晶圓級(jí)封裝匹配結(jié)構(gòu)，包括：芯片晶圓級(jí)封裝部分和PCB部分，芯片晶圓級(jí)封裝部分包括：封裝襯底、芯片、第一鈍化層、RDL、第二鈍化層、UBM和焊球。芯片包括：功能面、底面和芯片焊盤(pán)；芯片的底面鑲嵌在封裝襯底中，且芯片的功能面外露；第一鈍化層包括：第一鈍化層金屬通孔；第一鈍化層設(shè)置在芯片的功能面外側(cè)，且第一鈍化層金屬通孔中心與芯片焊盤(pán)中心對(duì)齊；RDL包括：RDL信號(hào)線(xiàn)和RDL金屬接地；RDL設(shè)置在第一鈍化層外側(cè)；UBM包括：信號(hào)UBM和接地UBM；UBM設(shè)置在第二鈍化層中；第二鈍化層設(shè)置在RDL外側(cè)；芯片通過(guò)焊球和PCB部分垂直互連；其中，RDL信號(hào)線(xiàn)設(shè)置有匹配節(jié)，用于調(diào)節(jié)第一鈍化層金屬化通孔和信號(hào)UBM之間的阻抗失配。 |
