基于無源寬帶結(jié)構(gòu)的太赫茲混頻器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111574846.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114335947A | 公開(公告)日 | 2022-04-12 |
申請公布號 | CN114335947A | 申請公布日 | 2022-04-12 |
分類號 | H01P1/213(2006.01)I;H03D7/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王璞;楊周明;牟聰 | 申請(專利權(quán))人 | 成都天成電科科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 成都科海專利事務(wù)有限責(zé)任公司 | 代理人 | 劉業(yè)芳 |
地址 | 610000四川省成都市高新區(qū)肖家河環(huán)三巷2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于無源寬帶結(jié)構(gòu)的太赫茲混頻器,包括依次連接的軟基片和砷化鎵基片,砷化鎵基片固定于金屬腔體內(nèi)并與金屬腔體適配;砷化鎵基片上依次穿設(shè)有射頻接地結(jié)構(gòu)、射頻探針過渡結(jié)構(gòu)、本振濾波結(jié)構(gòu)、本振探針雙工結(jié)構(gòu)和中頻低通濾波結(jié)構(gòu);本振濾波結(jié)構(gòu)與射頻探針過渡結(jié)構(gòu)之間還設(shè)有反向并聯(lián)肖特基二極管對,反向并聯(lián)肖特基二極管對倒置在砷化鎵基片上;本發(fā)明采用的匹配電路更為簡單,減少電路損耗及變頻損耗,極大的提高了二極管的工作頻率和穩(wěn)定性。通過射頻直接接地的處理方法可以實(shí)現(xiàn)更大的工作帶寬,克服了傳統(tǒng)射頻地回路設(shè)計(jì)因采用四分之一波長線接地而帶來的窄帶特性的缺陷。 |
