一種高過載近距測距射頻電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920413047.9 申請日 -
公開（公告）號 CN210899137U 公開（公告）日 2020-06-30
申請公布號 CN210899137U 申請公布日 2020-06-30
分類號 H03L7/087;H03L7/093;H03L7/099;H03L7/18 分類 -
發(fā)明人 鄒俊;于磊;楊周明;羊俊名 申請（專利權(quán)）人 成都天成電科科技有限公司
代理機構(gòu) 四川雅圖律師事務(wù)所 代理人 盧蕊
地址 610052 四川省成都市成華區(qū)華盛路58號25幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高過載近距測距射頻電路，通過設(shè)采用硅材料作為晶振原料，再通過將硅晶振與鎖相環(huán)、環(huán)路濾波器、射頻輸出模塊分別串聯(lián)，以形成整套射頻信號輸出電路。由于硅晶振最大可以承受50000g沖擊，因此本申請實施例中的射頻電路在高過載環(huán)境下能夠表現(xiàn)出非常優(yōu)秀的承載能力，具有提高整個射頻電路的可靠性和降低故障率的技術(shù)效果。進一步地，所述射頻電路為印制于直徑為13?16毫米的圓形PCB上，其功耗約為500mW，在具有高集成度的基礎(chǔ)上，功耗也能實現(xiàn)較低的標準，因此本申請技術(shù)方案還具有提高近距測距射頻電路小型化、輕便化的技術(shù)效果。