一種基于自動地周期性讀操作的讀取速度測量電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310148204.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104123966B 公開（公告）日 2017-03-29
申請公布號 CN104123966B 申請公布日 2017-03-29
分類號 G11C29/08(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 朱小榮;張一平;周全;鄭堅斌 申請（專利權）人 蘇州兆芯半導體科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產業(yè)園11-103單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于自動地周期性讀操作的讀取速度測量電路，其包括至少兩個SRAM，兩個以上的SRAM為完全相同的同步上升沿觸發(fā)SRAM，每個單獨的SRAM包括讀地址Address、輸出數據DO端和時鐘CK端，所述SRAM為需要測量的SRAM，所述讀地址Address和輸出數據DO相互連接，至少兩個SRAM的DO端和時鐘CK端之間設置有邊沿產生上升沿電路，所述邊沿產生上升沿電路輸出的上升沿信號在經過一定的時間后跳變?yōu)榈碗娖?。其測量精度高；測量電路設計簡單；測量程序開發(fā)簡單；測量時間和工作量減少。