串聯(lián)ROM單元及其讀取方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310000514.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103106925B 公開（公告）日 2016-07-06
申請公布號 CN103106925B 申請公布日 2016-07-06
分類號 G11C16/26(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 于躍;鄭堅斌 申請（專利權(quán)）人 蘇州兆芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王學(xué)強(qiáng)
地址 215021 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園11-103單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種串聯(lián)ROM單元及其讀取方法，所述ROM單元至少包括通過背靠背方式相接的第一存儲單元組和第二存儲單元組，所述第一存儲單元組和第二存儲單元組的結(jié)構(gòu)相同，所述第一存儲單元組包括串聯(lián)連接的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極分別通過可編程的方式連接至第一位線和第二位線上，所述第一MOS管和第二MOS管的柵極分別連接至第一字線和第二字線上，在讀取此串聯(lián)ROM單元所對應(yīng)的信息時，只需通過第一位線和第二位線就可以直接讀取出該信息，這樣就實現(xiàn)了4個MOS管共用一個源端VSS，減少了由于工藝規(guī)則帶來的空間浪費(fèi)，從而節(jié)約了面積。