一種多晶硅鑄錠時(shí)的長(zhǎng)晶控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310668942.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103696001A 公開(kāi)（公告）日 2014-04-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN103696001A 申請(qǐng)公布日 2014-04-02
分類(lèi)號(hào) C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王土軍;徐聞韜;徐增宏 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江硅宏電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州九洲專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 代理人 陳繼亮
地址 324300 浙江省衢州市開(kāi)化縣華埠鎮(zhèn)華豐路28號(hào)硅宏
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多晶硅鑄錠時(shí)的長(zhǎng)晶控制方法，該方法包括下列步驟：A、將平鋪在坩堝底部的硅塊料部分溶化，余少部分作為長(zhǎng)晶用，降溫至硅溶點(diǎn)以下，開(kāi)始長(zhǎng)晶；B、長(zhǎng)晶初期，長(zhǎng)晶速度控制在0.4-0.8mm/h，時(shí)間持續(xù)3-4h；C、長(zhǎng)晶過(guò)渡期，長(zhǎng)晶速度控制在0.8-1.2mm/h，時(shí)間持續(xù)在4-6h；D、長(zhǎng)晶穩(wěn)定期，長(zhǎng)晶速度控制在1.0-1.4mm/h，時(shí)間持續(xù)20-24h；E、長(zhǎng)晶收尾期，長(zhǎng)晶速度控制在0.8-1.0mm/h，時(shí)間持續(xù)6-8h。采用本發(fā)明，控制過(guò)程增加了長(zhǎng)晶過(guò)渡期，長(zhǎng)晶速度由慢至快，再由快至慢，使長(zhǎng)晶處于相對(duì)均衡狀態(tài)，能減少長(zhǎng)晶中的位錯(cuò)，減少雜質(zhì)沉積，有效地提高了光電轉(zhuǎn)換效率。據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，位錯(cuò)率較原有工藝減少了20%以上。