一種功率半導體芯片封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111503735.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114220796A | 公開(公告)日 | 2022-03-22 |
申請公布號 | CN114220796A | 申請公布日 | 2022-03-22 |
分類號 | H01L23/552(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王亮;周揚;代安琪;韓榮剛;林仲康;唐新靈 | 申請(專利權(quán))人 | 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王娜 |
地址 | 102209北京市昌平區(qū)未來科技城濱河大道18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種功率半導體芯片封裝結(jié)構(gòu),包括:第一基板電極;位于部分所述第一基板電極上且與所述第一基板電極電連接的功率半導體芯片;環(huán)繞所述功率半導體芯片的線圈屏蔽結(jié)構(gòu),所述線圈屏蔽結(jié)構(gòu)包括導電線圈以及包覆所述導電線圈的絕緣體。所述功率半導體芯片封裝結(jié)構(gòu)具有較高的耐壓性。 |
