高密度SIP封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201620280802.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN206003765U 公開(kāi)（公告）日 2017-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN206003765U 申請(qǐng)公布日 2017-03-08
分類號(hào) H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喻明凡 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫矽瑞微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇英特東華律師事務(wù)所 代理人 無(wú)錫矽瑞微電子股份有限公司
地址 214072 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)建筑西路599號(hào)1幢11層（無(wú)錫國(guó)家工業(yè)設(shè)計(jì)園）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種高密度SIP封裝結(jié)構(gòu)，其中包括第一基島、第二基島和導(dǎo)熱焊盤，所述的第一基島和第二基島相互平行，所述的導(dǎo)熱焊盤設(shè)置于所述的第一基島和第二基島下方，所述的第一基島上隔離排布有三顆MOS管和MCU芯片，所述的第二基島上隔離排布有三顆MOS管，各個(gè)所述的MOS管與封裝結(jié)構(gòu)的外接頭通過(guò)鍵合絲相連接。采用該種結(jié)構(gòu)的高密度SIP封裝結(jié)構(gòu)，隔離排布多顆功率MOS管和主控芯片，充分利用封裝體的縱向空間，大大提升集成電路的封裝密度，提升封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能，可以有效應(yīng)用于各種需要MCU主控芯片封裝結(jié)構(gòu)的場(chǎng)景，具有更廣泛的應(yīng)用范圍。