一種稀土氟氧化物薄膜的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210504745.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114717555A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114717555A 申請公布日 2022-07-08
分類號 C23C26/00（2006.01）I;C01F17/259（2020.01）I;C01F17/10（2020.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 賀邦杰;余宜璠;陳立航;鄭宣 申請（專利權(quán)）人 重慶臻寶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶樂泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 401326重慶市九龍坡區(qū)西彭鎮(zhèn)森迪大道66號附72號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種稀土氟氧化物薄膜的形成方法，屬于半導(dǎo)體涂層制備技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：提供包含F(xiàn)離子或C離子或S離子的氣體；將上述氣體進(jìn)行加熱預(yù)處理，使其產(chǎn)生游離的F離子，在低壓反應(yīng)腔內(nèi)與Y2O3涂層反應(yīng)，所述低壓反應(yīng)腔的壓力小于等于101kPa，所述加熱預(yù)處理后的氣體溫度為200～1000℃。將預(yù)處理后的氣體與Y2O3涂層反應(yīng)生成氟氧化釔薄膜。采用本發(fā)明方法制備氧氟化釔薄膜，反應(yīng)更為充分，得到的氧氟化釔薄膜的純度較高，異相氟化釔等雜質(zhì)的含量較少，可以加強(qiáng)耐等離子體的防腐能力。