一種半導(dǎo)體刻蝕腔耐等離子體涂層制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210267971.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114645275A | 公開（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114645275A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-21 |
| 分類號(hào) | C23C28/04（2006.01）I;C23C4/01（2016.01）I;C23C4/02（2006.01）I;C23C4/11（2016.01）I;C23C4/134（2016.01）I;C25D11/02（2006.01）I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 吳昊;李宗泰;楊佐東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶臻寶科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶樂泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 401326重慶市九龍坡區(qū)西彭鎮(zhèn)森迪大道66號(hào)附72號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體刻蝕腔耐等離子體涂層制備方法，屬于半導(dǎo)體真空零部件技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟，首先對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理；對(duì)產(chǎn)品除內(nèi)壁以外的所有部位進(jìn)行遮蔽保護(hù)；對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行人工噴砂；通過采用均勻熔射噴涂設(shè)備對(duì)產(chǎn)品表面進(jìn)行等離子熔射噴涂，形成均勻的Y2O3涂層；去除產(chǎn)品的遮蔽部位，人工修飾突出尖銳部位，然后在恒溫室內(nèi)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行干燥；對(duì)涂層表面進(jìn)行封孔；對(duì)涂層表面進(jìn)行清潔，去除易發(fā)生Partice的涂層；干燥產(chǎn)品上的水分后無(wú)塵室進(jìn)行包裝。本發(fā)明方法通過在產(chǎn)品上均勻噴涂上一層均勻的抗等離子體的Y2O3涂層，可以均勻的吸附反應(yīng)生成的聚合物，延長(zhǎng)部件的使用時(shí)間，降低生產(chǎn)成本，減少Particle，使得晶圓品質(zhì)得到了很好的改善。 |
