一種非自對準工藝形成的半導體器件及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110226861.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102931140A 公開（公告）日 2013-02-13
申請公布號 CN102931140A 申請公布日 2013-02-13
分類號 H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘匯才 申請（專利權）人 長沙艾爾豐華電子科技有限公司
代理機構 北京市立方律師事務所 代理人 長沙艾爾豐華電子科技有限公司
地址 410003 湖南省長沙市長沙經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)管委會信息樓12樓（三一路2號）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種非自對準溝道工藝形成半導體器件的方法，所述方法包括：提供半導體襯底；在所述半導體襯底內(nèi)形成半導體層，所述半導體層由隔離區(qū)隔離開；進行重摻雜離子注入，以在半導體層內(nèi)形成重摻雜區(qū)，然后進行高溫退火激活摻雜離子；在所述半導體層上形成柵極區(qū)。其后進行CMOS器件工藝流程，沉積器件間絕緣層，形成器件接觸塞等。本發(fā)明提出的上述方案，簡化了芯片制造工藝，降低了成本，從而形成價格低且質量高的半導體器件。