一種非自對(duì)準(zhǔn)工藝形成的半導(dǎo)體器件及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110226861.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102931140B 公開（公告）日 2017-09-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN102931140B 申請(qǐng)公布日 2017-09-12
分類號(hào) H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘匯才 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長沙艾爾豐華電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市立方律師事務(wù)所 代理人 長沙艾爾豐華電子科技有限公司
地址 410003 湖南省長沙市長沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會(huì)信息樓12樓（三一路2號(hào)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種非自對(duì)準(zhǔn)溝道工藝形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層由隔離區(qū)隔離開；進(jìn)行重?fù)诫s離子注入，以在半導(dǎo)體層內(nèi)形成重?fù)诫s區(qū)，然后進(jìn)行高溫退火激活摻雜離子；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極區(qū)。其后進(jìn)行CMOS器件工藝流程，沉積器件間絕緣層，形成器件接觸塞等。本發(fā)明提出的上述方案，簡化了芯片制造工藝，降低了成本，從而形成價(jià)格低且質(zhì)量高的半導(dǎo)體器件。