一種SOI晶圓的制造方法及其SOI晶圓

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110030394.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102623303A 公開（公告）日 2012-08-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN102623303A 申請(qǐng)公布日 2012-08-01
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘匯才;朱慧瓏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)沙艾爾豐華電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市立方律師事務(wù)所 代理人 鐘匯才;朱慧瓏;長(zhǎng)沙艾爾豐華電子科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種SOI晶圓的制造方法及其SOI晶圓，所述方法包括：提供襯底，所述襯底包括價(jià)格低并耐高溫的材料；在所述襯底的上表面、下表面以及側(cè)面上形成絕緣層，以使襯底被所述絕緣層包圍；在所述襯底上表面的絕緣層上形成半導(dǎo)體層；進(jìn)行退火晶化處理，以使頂層半導(dǎo)體層晶化為單晶的半導(dǎo)體層或具有大尺寸晶粒的、高質(zhì)量的多晶半導(dǎo)體層。采用價(jià)格低且能耐高溫的材料作為支撐襯底，并通過晶化工藝，在頂層形成單晶或大尺寸晶粒的頂層半導(dǎo)體層，從而形成價(jià)格低且質(zhì)量高的SOI晶圓。