一種SOI晶圓的制造方法及其SOI晶圓

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110030394.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102623303A 公開（公告）日 2012-08-01
申請公布號 CN102623303A 申請公布日 2012-08-01
分類號 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鐘匯才;朱慧瓏 申請（專利權(quán)）人 長沙艾爾豐華電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京市立方律師事務所 代理人 鐘匯才;朱慧瓏;長沙艾爾豐華電子科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種SOI晶圓的制造方法及其SOI晶圓，所述方法包括：提供襯底，所述襯底包括價格低并耐高溫的材料；在所述襯底的上表面、下表面以及側(cè)面上形成絕緣層，以使襯底被所述絕緣層包圍；在所述襯底上表面的絕緣層上形成半導體層；進行退火晶化處理，以使頂層半導體層晶化為單晶的半導體層或具有大尺寸晶粒的、高質(zhì)量的多晶半導體層。采用價格低且能耐高溫的材料作為支撐襯底，并通過晶化工藝，在頂層形成單晶或大尺寸晶粒的頂層半導體層，從而形成價格低且質(zhì)量高的SOI晶圓。