硅基集成化的差分電光調(diào)制器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510573807.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105044931A 公開（公告）日 2015-11-11
申請公布號 CN105044931A 申請公布日 2015-11-11
分類號 G02F1/015(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 丁建峰;張磊;楊林 申請（專利權(quán)）人 宏芯科技（泉州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基集成化的差分電光調(diào)制器及其制備方法，其光學(xué)基本結(jié)構(gòu)為馬赫-曾德干涉儀結(jié)構(gòu)，采用硅基微納波導(dǎo)制作。電極結(jié)構(gòu)采用電容耦合式的共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，形式是“地極-信號極-地極”(G-S-G)。馬赫-曾德干涉儀的兩個相移臂(內(nèi)部通過制作的PN結(jié)進(jìn)行相位調(diào)制)分別位于地極與信號極的兩個間隙之間。電容耦合式的共面波導(dǎo)電極結(jié)構(gòu)不僅負(fù)責(zé)將高速交流信號耦合到相移臂中的PN結(jié)進(jìn)行調(diào)制，而且其電容結(jié)構(gòu)還可以防止輸入電極的兩個地極將直流偏置電路短路。該結(jié)構(gòu)利用現(xiàn)有的成熟的CMOS工藝降低了器件制作的成本，提高了集成度，從而特別適合在需要高集成度、高性能、低功耗的光互連領(lǐng)域的應(yīng)用。