提高亞微米硅波導(dǎo)與普通單模光纖耦合效率的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610159366.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105607185B 公開(kāi)（公告）日 2019-01-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN105607185B 申請(qǐng)公布日 2019-01-08
分類(lèi)號(hào) G02B6/122 分類(lèi) 光學(xué);
發(fā)明人 楊林;賈浩;張磊 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 宏芯科技（泉州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種提高亞微米硅波導(dǎo)與普通單模光纖耦合效率的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，制作亞微米硅波導(dǎo)的基底材料為絕緣襯底上的硅晶片，其由下往上包含三層材料：襯底硅，埋氧層，頂層硅，其中埋氧層為摻雜的二氧化硅。在該晶片的頂層硅上通過(guò)光刻與刻蝕形成亞微米硅波導(dǎo)后，第一層摻雜的二氧化硅被淀積在該硅波導(dǎo)上方，將其完全包覆。該層摻雜的二氧化硅經(jīng)過(guò)光刻與刻蝕后，在其上方再淀積第二層摻雜的二氧化硅。這樣形成的二氧化硅波導(dǎo)作為與普通單模光纖的連接通道，可以減小亞微米硅波導(dǎo)與普通單模光纖耦合時(shí)的模場(chǎng)失配損耗和反射損耗，提高二者的耦合效率。