提高亞微米硅波導(dǎo)與普通單模光纖耦合效率的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610159366.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105607185A 公開（公告）日 2016-05-25
申請公布號 CN105607185A 申請公布日 2016-05-25
分類號 G02B6/122(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 楊林;賈浩;張磊 申請（專利權(quán)）人 宏芯科技（泉州）有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高亞微米硅波導(dǎo)與普通單模光纖耦合效率的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，制作亞微米硅波導(dǎo)的基底材料為絕緣襯底上的硅晶片，其由下往上包含三層材料：襯底硅，埋氧層，頂層硅，其中埋氧層為摻雜的二氧化硅。在該晶片的頂層硅上通過光刻與刻蝕形成亞微米硅波導(dǎo)后，第一層摻雜的二氧化硅被淀積在該硅波導(dǎo)上方，將其完全包覆。該層摻雜的二氧化硅經(jīng)過光刻與刻蝕后，在其上方再淀積第二層摻雜的二氧化硅。這樣形成的二氧化硅波導(dǎo)作為與普通單模光纖的連接通道，可以減小亞微米硅波導(dǎo)與普通單模光纖耦合時的模場失配損耗和反射損耗，提高二者的耦合效率。