一種顯示結(jié)構(gòu)生產(chǎn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810527506.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108735865B 公開（公告）日 2019-11-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN108735865B 申請(qǐng)公布日 2019-11-01
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I; H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘小和 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 矽照光電（廈門）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市廈門火炬高新區(qū)軟件園創(chuàng)新大廈A區(qū)202-2單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種顯示結(jié)構(gòu)生產(chǎn)方法，包括步驟：在柔性襯底上制造有源矩陣顯示控制芯片襯底；在藍(lán)寶石晶圓上生長(zhǎng)短波長(zhǎng)III?V族半導(dǎo)體發(fā)光器件量子發(fā)光薄膜；將有源矩陣顯示控制芯片襯底具有金屬薄膜粘合層的一面與帶有短波長(zhǎng)III?V族半導(dǎo)體發(fā)光器件量子發(fā)光薄膜的藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行金屬粘合；整個(gè)柔性有源矩陣顯示控制芯片襯底都覆蓋上短波長(zhǎng)III?V族半導(dǎo)體發(fā)光器件量子發(fā)光薄膜；刻蝕形成短波長(zhǎng)III?V族半導(dǎo)體發(fā)光器件量子發(fā)光陣列；填充陣列之間溝隙；進(jìn)行平面化處理；在陣列表面上設(shè)置透明ITO薄膜電極層；分別沉積至少三基色光致激發(fā)薄膜層并刻蝕形成有源薄膜矩陣像素陣列；在有源薄膜矩陣像素陣列上覆蓋一層透明保護(hù)層，得到顯示結(jié)構(gòu)。