一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列模塊的生產(chǎn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811469012.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109599742A 公開（公告）日 2019-04-09
申請公布號 CN109599742A 申請公布日 2019-04-09
分類號 H01S5/183;H01S5/187 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘小和 申請（專利權(quán)）人 矽照光電（廈門）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市廈門火炬高新區(qū)軟件園創(chuàng)新大廈A區(qū)202-2單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器陣列模塊的生產(chǎn)方法，在目標晶圓襯底上外延生長p?n結(jié)量子發(fā)光薄膜層；外延生長第一層分布式布拉格反射光柵；在硅晶圓襯底上制作具有脈沖寬度調(diào)制的有源矩陣控制電路；將量子發(fā)光外延片粘合在有源矩陣顯示控制電路上；襯底剝離；選擇性地等離子刻蝕形成半導體發(fā)光量子層陣列；用介質(zhì)填平表面，選擇性介質(zhì)等離子刻蝕形成金屬電極陣列；再次用介質(zhì)填平表面，并將表面平整；鍍上一層透明通用電極；外延生長第二層分布式布拉格反射光柵，得到垂直腔面發(fā)射激光器陣列模塊。本發(fā)明可以規(guī)模生產(chǎn)垂直腔面發(fā)射激光器陣列模塊。