一種防靜電結(jié)構(gòu)、MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111010257.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113629051A 公開（公告）日 2021-11-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113629051A 申請(qǐng)公布日 2021-11-09
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢鑫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蕪湖華沅微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽華普專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李跟根
地址 241000安徽省蕪湖市高新區(qū)珩瑯山路一號(hào)中皖智優(yōu)產(chǎn)業(yè)園A座三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種防靜電結(jié)構(gòu)、MOSFET器件及其制造方法，將ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)域內(nèi)的二極管組從方形直線分布做成方形彎曲分布，在不改變?cè)璄SD保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)域大小的前提下，更大限度的提高靜電泄放的有效通道，提高器件的抗靜電極限能力，靜電泄放通道可變?yōu)樵瓉淼??4倍，其抵抗靜電的能力極限也可以提高至原來的3?4倍，效果非常明顯，相比普通方案，并沒有增加光刻版的數(shù)量，沒有增加任何多余的工藝步驟，也不會(huì)影響器件的整體功能，但對(duì)防靜電能力的提升效果明顯。