一種降低VF的分離柵MOSFET結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111010052.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113629133A 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN113629133A 申請公布日 2021-11-09
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢鑫 申請（專利權(quán)）人 蕪湖華沅微電子有限公司
代理機構(gòu) 安徽華普專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李跟根
地址 241000安徽省蕪湖市高新區(qū)珩瑯山路一號中皖智優(yōu)產(chǎn)業(yè)園A座三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低VF的分離柵MOSFET結(jié)構(gòu)，利用上部的多晶柵極三、柵氧化層三、N+結(jié)構(gòu)、N?外延層、P阱區(qū)以及源金屬層共同形成一種寄生MOS型二極管結(jié)構(gòu)，使得該器件的寄生MOS型二極管的反向壓降VF大大降低，從普通的0.8V以上降低到0.5~0.7V；同時極大的提高了分離柵MOSFET的交頻特性，特別是在反向續(xù)流要求比較高的應(yīng)用場合，提高轉(zhuǎn)換效率明顯，拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。