一種降低VF的分離柵MOSFET結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122075851.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216928596U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216928596U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 錢(qián)鑫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蕪湖華沅微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 安徽華普專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市高新區(qū)珩瑯山路一號(hào)中皖智優(yōu)產(chǎn)業(yè)園A座三樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種降低VF的分離柵MOSFET結(jié)構(gòu)，利用上部的多晶柵極三、柵氧化層三、N+結(jié)構(gòu)、N?外延層、P阱區(qū)以及源金屬層共同形成一種寄生MOS型二極管結(jié)構(gòu)，使得該器件的寄生MOS型二極管的反向壓降VF大大降低，從普通的0.8V以上降低到0.5~0.7V；同時(shí)極大的提高了分離柵MOSFET的交頻特性，特別是在反向續(xù)流要求比較高的應(yīng)用場(chǎng)合，提高轉(zhuǎn)換效率明顯，拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。 |
