一種防靜電結(jié)構(gòu)及MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122075258.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN215911428U | 公開（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215911428U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
| 分類號(hào) | H01L27/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 錢鑫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蕪湖華沅微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 安徽華普專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李跟根 |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市高新區(qū)珩瑯山路一號(hào)中皖智優(yōu)產(chǎn)業(yè)園A座三樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種防靜電結(jié)構(gòu)及MOSFET器件，防靜電結(jié)構(gòu)包括氧化層隔離層，所述氧化層隔離層上淀積有多晶硅區(qū)域，多晶硅區(qū)域內(nèi)注入摻雜類型不同的離子以形成多晶硅PN結(jié)，多晶硅PN結(jié)形成的多晶硅二極管組為彎曲結(jié)構(gòu)。將ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)域內(nèi)的二極管組從方形直線分布做成方形彎曲分布，在不改變?cè)璄SD保護(hù)結(jié)構(gòu)區(qū)域大小的前提下，更大限度的提高靜電泄放的有效通道，提高器件的抗靜電極限能力，靜電泄放通道可變?yōu)樵瓉?lái)的3?4倍，其抵抗靜電的能力極限也可以提高至原來(lái)的3?4倍，效果非常明顯，相比普通方案，并沒(méi)有增加光刻版的數(shù)量，沒(méi)有增加任何多余的工藝步驟，也不會(huì)影響器件的整體功能，但對(duì)防靜電能力的提升效果明顯。 |
