晶體硅太陽(yáng)電池的漏電處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810040765.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108198910A 公開（公告）日 2018-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN108198910A 申請(qǐng)公布日 2018-06-22
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏世偉;張為國(guó);張松;韓向超;楊崇文;陳寒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海大族新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 上海大族新能源科技有限公司
地址 201100 上海市閔行區(qū)萬(wàn)芳路555號(hào)4幢8層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池的漏電處理方法。該漏電處理方法包括如下步驟：將晶體硅太陽(yáng)電池的正、負(fù)極分別接在電源的正負(fù)極，進(jìn)行通電；通電后，在所述晶體硅太陽(yáng)能電池的硅片正表面上，采集位于邊緣不同位置處的物理特征數(shù)據(jù)；根據(jù)所述不同位置處的物理特征數(shù)據(jù)，確定所述晶體硅太陽(yáng)電池中的PN結(jié)所在的位置；利用激光將所述PN結(jié)隔斷。上述晶體硅太陽(yáng)電池的漏電處理方法，不僅能夠避免晶體硅太陽(yáng)電池漏電，還能夠最大限度地利用有限的發(fā)光面積，同時(shí)可以避免絕緣區(qū)域選取錯(cuò)誤造成成品率低的問(wèn)題。