硅片硼摻雜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510883089.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105428224B 公開（公告）日 2018-06-12
申請公布號 CN105428224B 申請公布日 2018-06-12
分類號 H01L21/22;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張為國;劉超;劉成法;張松 申請（專利權(quán)）人 上海大族新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 上海大族新能源科技有限公司
地址 201615 上海市松江區(qū)九涇路1000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅片硼摻雜方法。該方法包括步驟：將硅片的表面進(jìn)行制絨處理，并在所述硅片的表面上形成硼摻雜源層；采用第一激光參數(shù)，對所述硼摻雜源層進(jìn)行激光處理，形成第一p+區(qū)域；對所述硅片的表面進(jìn)行清洗，去除剩余的所述硼摻雜源；采用第二激光參數(shù)，對所述第一p+區(qū)域進(jìn)行處理，使得所述第一p+區(qū)域內(nèi)的硼摻雜源進(jìn)一步擴(kuò)散，形成第二p+區(qū)域，其中，所述第二激光參數(shù)中的激光脈沖寬度小于所述第一激光參數(shù)中的激光脈沖寬度。上述硅片硼摻雜方法，不僅提高摻雜的均勻性，還能實(shí)現(xiàn)低濃度深摻雜結(jié)，使得短波響應(yīng)更加明顯。