一種高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料溝槽MOS肖特基二極管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410307573.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104051548A 公開（公告）日 2014-09-17
申請公布號 CN104051548A 申請公布日 2014-09-17
分類號 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡銀飛;翟東媛;趙毅;施毅;鄭有炓 申請（專利權(quán)）人 杭州啟沛科技有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杭州啟沛科技有限公司
地址 311100 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路998號19幢704
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料溝槽MOS肖特基二極管器件，包括N+半導體襯底、N+半導體襯底上的N-外延層、N-外延層上加工的溝槽結(jié)構(gòu)、N-外延層上及溝槽內(nèi)生長肖特基接觸的陽極金屬、N+襯底下面生長歐姆接觸的陰極金屬；所述溝槽側(cè)壁氧化層包括上下兩部分，上部采用高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料，下部使用二氧化硅；且所述的溝槽內(nèi)壁生長高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料的高度占溝槽總高度的四分之三以內(nèi)。本發(fā)明設(shè)計的一種高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料溝槽MOS肖特基二極管器件，在溝槽中的氧化層的上部采用高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料，下部仍然使用二氧化硅，與傳統(tǒng)的SiO2TMBS器件相比，漏電流密度可以減小19.8％，同時，不減弱器件的擊穿電壓和正向?qū)妷禾匦浴?/td>