一種IO口間無(wú)相互干擾的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410673950.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104465649B 公開(kāi)（公告）日 2017-10-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN104465649B 申請(qǐng)公布日 2017-10-03
分類(lèi)號(hào) H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡銀飛;翟東媛;蔣金鴻;朱俊;趙毅 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 杭州啟沛科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 紹興米來(lái)電子科技有限公司
地址 312099 浙江省紹興市舜江路683號(hào)21樓2111室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，包括P+半導(dǎo)體襯底，P?外延層位于P+半導(dǎo)體襯底上；外延層上從左到右分別有包含第一環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的左端，第一N阱，第一環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的左端，第四N阱，第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分別設(shè)有第一N+有源注入?yún)^(qū)和第五N+有源注入?yún)^(qū)；所述的第二N阱上設(shè)有第二N+有源注入?yún)^(qū)和第二P+有源注入?yún)^(qū)；所述的第一P阱上設(shè)有第三N+有源注入?yún)^(qū)；所述的第三N阱上設(shè)有第四N+有源注入?yún)^(qū)和第三P+有源注入?yún)^(qū)。