一種基于P電極條形陣列的深紫外LED芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920856700.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN209896093U | 公開（公告）日 | 2020-01-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209896093U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-01-03 |
| 分類號(hào) | H01L33/20（2010.01）; H01L33/38（2010.01） | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張會(huì)雪; 羅紅波; 徐盛海; 張爽; 劉源; 戴江南; 陳長(zhǎng)清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖北深紫科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 黃君軍 |
| 地址 | 436000 湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)鳳凰大道特1號(hào)華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院大樓S209室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種基于P電極條形陣列的深紫外LED芯片，包括藍(lán)寶石襯底層、AlN層、N型AlGaN層、N電極層、P型GaN層和P電極層，其中，所述AlN層、所述N型AlGaN層、所述N電極層、所述P型GaN層和所述P電極層依次沉積于所述藍(lán)寶石襯底層表面；所述P型GaN層包括復(fù)數(shù)個(gè)平行設(shè)置的第一條狀結(jié)構(gòu)，所述P電極層包括復(fù)數(shù)個(gè)平行設(shè)置的第二條狀結(jié)構(gòu)，所述第二條狀結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一條狀結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述N電極層一側(cè)。本實(shí)用新型通過將P型GaN層和P電極層設(shè)置成復(fù)數(shù)個(gè)平行設(shè)置的條狀結(jié)構(gòu)，有效增加側(cè)壁出光面積，從而實(shí)現(xiàn)光萃取效率的提高；同時(shí)，該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使電極線寬變窄，電流擴(kuò)展距離變短，更有利于N?P電極之間的電流擴(kuò)展，減少電流擁堵效應(yīng)。 |
