一種集成電路測試結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610757309.4 申請日 -
公開（公告）號 CN106340466B 公開（公告）日 2019-09-17
申請公布號 CN106340466B 申請公布日 2019-09-17
分類號 H01L21/66（2006.01）I; H01L23/544（2006.01）I; H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張為鳳 申請（專利權）人 深圳天通信息科技有限公司
代理機構 北京艾皮專利代理有限公司 代理人 馮鐵惠
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道51號航空航天大廈1號樓602
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路測試結構，其特征在于，包括：襯底；形成于所述襯底的上表面上的分立的多個半導體器件；設置于所述多個半導體器件之間的、位于所述襯底內(nèi)的多個溝槽，每個所述多個溝槽橫截面呈U型，具有俯視呈矩形的開口、鄰近所述多個半導體器件的相對的兩個側面和位于溝槽底部的底面；設置在所述側面上的相對的兩個電極板層；填充在所述多個溝槽并位于所述電極板層上的溝槽隔離材料。