高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010817298.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111925802B | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
申請公布號 | CN111925802B | 申請公布日 | 2021-10-01 |
分類號 | C09K13/06(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應用; |
發(fā)明人 | 王溯;蔣闖;季崢;史筱超 | 申請(專利權)人 | 上海新陽半導體材料股份有限公司 |
代理機構 | 上海弼興律師事務所 | 代理人 | 王衛(wèi)彬;陳卓 |
地址 | 201616上海市松江區(qū)思賢路3600號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種蝕刻液,其制備方法及應用。本發(fā)明提供了一種蝕刻液,其包括下列重量份數(shù)的組分:0.5?10份化合物M,76.5?84.6份磷酸和13.5?14.9份水。本發(fā)明的蝕刻液對氧化硅膜和氮化硅膜的蝕刻速率選擇比適當、能夠選擇性地去除氮化硅膜、提升蝕刻液的壽命且能適應層疊結構層數(shù)的增加。 |
