高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010817663.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111925803B | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
申請公布號 | CN111925803B | 申請公布日 | 2021-10-01 |
分類號 | C09K13/06(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
發(fā)明人 | 王溯;蔣闖;季崢;郭杰;吳禮文;張雪東 | 申請(專利權(quán))人 | 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 王衛(wèi)彬;陳卓 |
地址 | 201616上海市松江區(qū)思賢路3600號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應(yīng)用。本發(fā)明具體公開了一種蝕刻液,按質(zhì)量份數(shù)計,其包括下述組分:如式A所示的化合物0.25?12.30份、磷酸75.00?85.70份和水13.20?15.80份。本發(fā)明的蝕刻液可提高氧化硅和氮化硅的蝕刻選擇比,選擇性地去除氮化物膜,提升蝕刻液的壽命,能適應(yīng)層疊結(jié)構(gòu)層數(shù)的增加。 |
