硅鍺合金薄膜材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010301123.0 申請日 -
公開（公告）號 CN101880901B 公開（公告）日 2012-05-30
申請公布號 CN101880901B 申請公布日 2012-05-30
分類號 C25D3/56(2006.01)I 分類 電解或電泳工藝；其所用設備〔4〕;
發(fā)明人 李垚;辛伍紅;趙九蓬;孟祥東;劉昕 申請（專利權）人 哈爾濱益材新材料有限公司
代理機構 哈爾濱市松花江專利商標事務所 代理人 韓末洙
地址 150001 黑龍江省哈爾濱市哈爾濱高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技創(chuàng)新城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)廣場2號樓科技一街719號A406室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 硅鍺合金薄膜材料的制備方法，它屬于硅鍺合金薄膜領域。本發(fā)明解決了現(xiàn)有工藝制備硅鍺合金薄膜存在設備造價高、操作條件苛刻及使用氫氣使安全系數(shù)降低的問題。本發(fā)明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超純水超聲清洗，然后自然晾干；二、配制電解液；三、采用三電極法進行電沉積，即在基片表面獲得硅鍺合金薄膜材料。本發(fā)明采用三電極法進行電沉積，所需設備造價低，方法簡單，容易操作，反應無需使用氫氣，提高生產(chǎn)的安全系數(shù)。