一種半導(dǎo)體放電管及過(guò)電壓保護(hù)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121451841.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN215955287U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215955287U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-04 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔡錦波;陳林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 馬鞍山市檳城電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 潘登 |
| 地址 | 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)湖西南路2189號(hào)5棟1號(hào)廠房南面 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體放電管及過(guò)電壓保護(hù)裝置。其中，半導(dǎo)體放電管包括：第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底、第一導(dǎo)電塊和兩個(gè)電極；在半導(dǎo)體襯底的任一器件單元區(qū)中，在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置有被第一導(dǎo)電類型的本體區(qū)所間隔的第二導(dǎo)電類型的第一擴(kuò)散區(qū)和第二擴(kuò)散區(qū)；在半導(dǎo)體襯底設(shè)置有第一擴(kuò)散區(qū)的一側(cè)設(shè)置有凹槽；沿著凹槽設(shè)置向半導(dǎo)體襯底內(nèi)延伸的第一導(dǎo)電類型的第三擴(kuò)散區(qū)，第三擴(kuò)散區(qū)均與第一擴(kuò)散區(qū)和半導(dǎo)體襯底的本體區(qū)相接觸；在第一擴(kuò)散區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類型的第四擴(kuò)散區(qū)，第三擴(kuò)散區(qū)和第四擴(kuò)散區(qū)間隔設(shè)置；第一導(dǎo)電塊與第一擴(kuò)散區(qū)和第四擴(kuò)散區(qū)電連接。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以降低雷擊浪涌時(shí)的殘壓。 |
