半導體結構及其制備方法、阻值異常的檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210397239.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114759014A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114759014A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L23/544（2006.01）I;G01R27/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂林雪;蘇超華;劉偉濃;張欽福 申請（專利權）人 福建省晉華集成電路有限公司
代理機構 上海思捷知識產權代理有限公司 代理人 -
地址 362200福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯(lián)華大道88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導體結構及其制備方法、阻值異常的檢測方法。在本發(fā)明提供的半導體結構中，利用襯底內的第三導電層與第一導電層連接，并使第三導電層延伸出，從而可將延伸出的第三導電層和第二導電層分別連接至第一信號端和第二信號端，使得檢測過程中第一導電層和第二導電層是以串聯(lián)方式連接，此時，當?shù)谝粚щ妼雍偷诙щ妼又械娜我怀霈F(xiàn)電阻異常時均能夠以等同幅度反映于串聯(lián)電阻，而能夠被檢測出，提高了阻值異常的檢測靈敏度。