存儲器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010271935.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111463205B 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號 CN111463205B 申請公布日 2022-07-19
分類號 H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮立偉 申請（專利權(quán)）人 福建省晉華集成電路有限公司
代理機構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 362200福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種存儲器及其形成方法，包括襯底、多條字線結(jié)構(gòu)、多條位線結(jié)構(gòu)、多個節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)及介質(zhì)層，介質(zhì)層位于所述有源區(qū)的字線結(jié)構(gòu)，且至少覆蓋所述字線結(jié)構(gòu)靠近所述節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)的至少部分側(cè)壁，所以在位線結(jié)構(gòu)和節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)之間具有介質(zhì)層的隔離，降低了位線結(jié)構(gòu)伸入有源區(qū)的部分和節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)之間短路的風(fēng)險，改善了存儲器的性能，即使位線溝槽發(fā)生位置偏移，位線結(jié)構(gòu)和節(jié)點接觸結(jié)構(gòu)也可以通過介質(zhì)層增加隔離的效果，增加光刻工藝的制程窗口；并且介質(zhì)層是在字線溝槽中形成的且形成在字線結(jié)構(gòu)之前，由于形成字線結(jié)構(gòu)時需要先形成最外層介質(zhì)，所以介質(zhì)層和字線結(jié)構(gòu)的最外層介質(zhì)可在同一機臺中先后形成，工藝制程簡單且成本低。