半導體存儲裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202220517452.7 申請日 -
公開（公告）號 CN216958033U 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN216958033U 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張欽福;童宇誠 申請（專利權）人 福建省晉華集成電路有限公司
代理機構 北京聿宏知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 362200福建省泉州市晉江市集成電路科學園聯(lián)華大道88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 半導體存儲裝置，包括陣列區(qū)以及圍繞著陣列區(qū)的周圍區(qū)。陣列區(qū)包括多個有源區(qū)以及位于有源區(qū)之間的第一絕緣層。周圍區(qū)包括周圍結構、圍繞著周圍結構的第二絕緣層，以及圍繞著第二絕緣層的第三絕緣層。至少一埋入式字線，延伸穿過陣列區(qū)及周圍區(qū)，其中埋入式字線切過第二絕緣層的部分包括頸部輪廓，為埋入式字線沿線的最高電阻值處。當半導體存儲裝置包括多條埋入式字線，本實用新型可使埋入式字線之間具有較一致的電阻值及信號延遲時間。