半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、晶體管器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210494017.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114758985A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114758985A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L21/768（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅啟仁;童宇誠 申請（專利權(quán)）人 福建省晉華集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 362200福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、晶體管器件的制備方法。通過在開窗內(nèi)形成拉應(yīng)力材料層，以在該拉應(yīng)力材料層的作用下使得金屬層中的金屬在襯底內(nèi)的擴(kuò)散趨勢更大限度的被限制在開窗的正下方，降低金屬橫向擴(kuò)散的范圍，進(jìn)而避免金屬擴(kuò)散至周邊組件。例如，在晶體管器件的制備過程中，即可避免源漏區(qū)內(nèi)的金屬硅化物層中的金屬橫向擴(kuò)散至柵極結(jié)構(gòu)的問題，有利于提高所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的器件性能。