高殘膜率正型光刻膠組合物及其合成方法和固化膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110802522.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113671795A 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN113671795A 申請公布日 2021-11-19
分類號 G03F7/075（2006.01）I;G03F7/004（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 陳旺;康威;康凱 申請（專利權(quán)）人 深圳迪道微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王華
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場A601
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高殘膜率正型光刻膠組合物及其合成方法和固化膜，高殘膜率正型光刻膠組合物包括包括有機溶劑和溶解在溶劑中的10wt%至70wt%溶質(zhì)，溶質(zhì)包括含氟烷烴和硅氧烷基團的丙烯酸共聚物、硅氧烷共聚物和1,2?二疊氮醌類化合物，其中含氟烷烴和硅氧烷基團的丙烯酸共聚物為100重量份，1,2?二疊氮醌類化合物為2?30重量份。本發(fā)明的高殘膜率正型光刻膠組合物包含丙烯酸共聚物和硅氧烷共聚物，合成固化膜時丙烯酸共聚物和硅氧烷共聚物共同作為粘合劑，該丙烯酸共聚物同時含有硅氧烷基團和氟烷烴，提高了光刻膠組合物的殘膜率，同時，由該光刻膠組合物制成的固化膜，浸沒在溶劑、酸或堿中或與溶劑、酸或堿接觸時，有效改善了溶脹或膜與襯底出現(xiàn)分層的問題。