一種半橋軟開關(guān)驅(qū)動方式的電子鎮(zhèn)流器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921080711.9 申請日 -
公開（公告）號 CN210444523U 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN210444523U 申請公布日 2020-05-01
分類號 H05B41/288 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 曹超;蔣中為 申請（專利權(quán)）人 深圳市電王科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 深圳市電王科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市坪山新區(qū)大工業(yè)區(qū)聚龍山片區(qū)金威源工業(yè)廠區(qū)A棟第2層北區(qū),B2棟第6層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種半橋軟開關(guān)驅(qū)動方式的電子鎮(zhèn)流器，包括高端MOS管Q3、低端MOS管Q4、電容C10、電感T4A、控制裝置；所述的控制裝置產(chǎn)生分別控制高端MOS管Q3和低端MOS管Q4的控制信號DR_H和DR_L；在控制信號DR_H接入高端MOS管Q3的G極之間還設(shè)置有高端驅(qū)動電路，在控制信號DR_L和低端MOS管Q4的G極之間還設(shè)置有低端驅(qū)動電路。本實用新型中高端MOS管和低端MOS管分開驅(qū)動，這樣使得高端MOS管關(guān)斷時，低端MOS管先不開通，由于電感續(xù)流的作用，電流通過低端MOS管的體二極管實現(xiàn)續(xù)流，這時可實現(xiàn)零電壓導(dǎo)通，同理在低端MOS管關(guān)斷時，再利用電感的續(xù)流作用，對低端MOS管的節(jié)電容充電，高端MOS管節(jié)電容放電，并導(dǎo)通高端MOS管的體二極管，實現(xiàn)零電壓導(dǎo)通的軟開關(guān)模式。