蝕刻液及其應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110483901.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113265660A | 公開(公告)日 | 2021-08-17 |
申請公布號 | CN113265660A | 申請公布日 | 2021-08-17 |
分類號 | C23F1/28(2006.01)I;C23F1/30(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 李治文;袁明軍;胡秋雨;段林侃 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東東碩科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 黎金娣 |
地址 | 511400廣東省廣州市番禺區(qū)石樓鎮(zhèn)創(chuàng)啟路63號創(chuàng)啟7號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種蝕刻液及其應(yīng)用,該蝕刻液包括水、氯化物、無機酸、有機酸和氧化劑;氯化物選自氯化鈉、氯化鉀、氯化銅、氯化銨和氯化氫中的至少一種;無機酸選自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一種;有機酸選自亞氨基二乙酸、甲酸、乙酸、丁酸、檸檬酸、異檸檬酸、草酸和丙二酸中的至少一種;氧化劑選自雙氧水、過硫酸鈉、過硫酸銨、過硫酸鉀、硝酸鈰銨、硝酸鈰鈉、硝酸鈰鉀、次氯酸鈉和次氯酸鉀中的至少一種;氯化物:無機酸:氧化劑的摩爾比為(55~70):(30~50):1。該蝕刻液能快速蝕刻鎳、鉻或鎳鉻合金,對銅的蝕刻作用小,滿足目前柔性印制電路板和集成電路中制作精細線路的制程要求,且安全可靠。 |
