一種基于CMOS的X光數(shù)字圖像傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721303859.5 申請日 -
公開（公告）號 CN207367979U 公開（公告）日 2018-05-15
申請公布號 CN207367979U 申請公布日 2018-05-15
分類號 H01L27/146;C23C14/24;C23C14/04;C23C14/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 段明浩 申請（專利權(quán)）人 西安瀚維光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安恒泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 李鄭建
地址 710119 陜西省西安市上林苑一路15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種基于CMOS的X光數(shù)字圖像傳感器，包括摻雜碘化鉈的碘化銫閃爍體晶體薄膜和光學(xué)反射薄膜；摻雜碘化鉈的碘化銫閃爍體晶體薄膜直接蒸鍍于CMOS圖像傳感器芯片的感光面上，光學(xué)反射膜蒸鍍于閃爍體晶體膜上。本實(shí)用新型通過在CMOS芯片的感光面上直接蒸鍍微量摻雜碘化鉈的碘化銫閃爍體薄膜，可以實(shí)現(xiàn)碘化銫閃爍體薄膜與CMOS感光面的緊密的光學(xué)耦合，提高了X光圖像傳感器的光電轉(zhuǎn)換效率和圖像光學(xué)分辨率，并且，光學(xué)耦合效率的一致性、均勻性都超過傳統(tǒng)方式。此外，由于對圖像傳感器模組整體進(jìn)行了納米級防護(hù)鍍膜，從而大大提高了對碘化銫閃爍體晶體薄膜的防水或防濕氣保護(hù)性能；實(shí)現(xiàn)在惡略環(huán)境下正常工作的目標(biāo)。